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可控硅模塊可對電力能量大小進行調(diào)整與變換
點擊次數(shù):3460 更新時間:2019-06-24
 
  
  可控硅模塊在控溫、調(diào)光、勵磁、電鍍、充放電、電焊機、等離子拉弧等領域有著廣泛的應用,它能夠起到對電力能量大小進行調(diào)整與變換的作用,在工業(yè)、通訊等場合作用極大。
  
  可控硅模塊的主要參數(shù):
  
  1、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
  
  2、反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。
  
  3、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。
  
  4、維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。
  
  5、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極--陰極間加有一定電壓時,可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的zui小控制極電流和電壓。
  
  可控硅模塊六大使用注意事項:
  
  1、線路中必須要設有過壓過流保護措施,串并聯(lián)使用時也必須要有均流措施。
  
  2、如果使用萬用表來判斷器件是否損壞,則門陰間電阻,要有十幾或者幾十歐姆,否則門極很容易短路或者斷路,陰陽極間的電阻,也要大于1MΩ,電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良,電阻接近零時則表明器件已擊穿,發(fā)現(xiàn)有斷路或者短路現(xiàn)象時,則要立即更換。
  
  3、嚴禁使用兆歐表來檢查元件的絕緣情況。
  
  4、對于電流為以上的可控硅模塊就要安裝散熱器,并且其冷卻條件要滿足相關(guān)規(guī)定。
  
  5、按照相關(guān)規(guī)定對主電路中的可控硅模塊采用過壓以及過流保護裝置。
  
  6、要防止出現(xiàn)可控硅模塊控制極的正向過載以及反向擊穿現(xiàn)象。
  
  

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